平成30年12月3日(月)、東京都にあるイイノホール&カンファレスセンターにおいて「平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰」の表彰式が行われました。
この度「平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰 技術開発・製品化部門」を受賞した、本学次世代パワーエレクトロニクス研究センターの大村一郎センター長が代表して表彰式に出席し、プレゼンターである原田義昭環境大臣から「表彰状」が授与されました。表彰式後の情報交換会、そして受賞者フォーラムで大村センター長が受賞に関する講演を行いました。
この表彰は、環境省が平成10年度から地球温暖化対策を推進するための一環として、毎年地球温暖化防止月間である12月に、地球温暖化防止に顕著な功績のあった個人又は団体に対しその功績をたたえるために、地球温暖化防止活動大臣表彰を授与しており、21年間継続して行われています。今回次世代パワーエレクトロニクス研究センターは、下記の功績で「技術開発・製品化部門」での受賞となりました。
次世代パワーエレクトロニクス研究センターでは、電気自動車や風力発電、エアコンなどで広く用いられているパワー半導体デバイス(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)の設計に独特な「スケーリング則」があることを世界で初めて発見し、微細加工によりデバイスの電流密度を飛躍的に向上できることを示しました。このIGBT「スケーリング則」によれば、現在広く用いられているシリコンパワー半導体で継続的な低コスト化と量産性の向上が可能であり、省エネルギー機器等の導入が、先進国のみならず新興国や途上国でも広まることが期待されます。本成果による将来のCO₂排出削減への期待から、今回の受賞となりました。本成果をベースに、シリコンパワー半導体に関する産学連携プロジェクトが開始されており、更なる展開が期待されます。
本センターでは、今後も低炭素社会の実現へ向けた取り組みを継続し、地球温暖化防止活動の一助となるべく研究開発を行っていきます。
表彰式の様子1
表彰式の様子2
表彰式の様子3
会場の様子4
