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トポロジカル絶縁体表面で高効率スピン流を生成(研究成果)

更新日:2016.07.26

 本学情報工学研究院電子情報工学研究系の福間康裕准教授は、理化学研究所創発物性科学研究センター量子ナノ磁性チームの近藤浩太研究員、大谷義近チームリーダー(東京大学物性研究所教授)、東北大学金属材料研究所の塚崎敦教授、強相関界面研究グループの川崎雅司グループディレクター(東京大学大学院工学研究科教授)、強相関物性研究グループの十倉好紀グループディレクター(東京大学大学院工学研究科教授)との共同研究より、トポロジカル絶縁体「(Bi1-xSbx)2Te3」の表面を用いた新しい電流-スピン流変換現象の実験的観測および定量的評価に成功しました。これにより、省電力スピントロニクスデバイスの開発が期待できます。

 本成果は、国際科学雑誌『Nature Physics』に掲載されるのに先立ち、オンライン版(7月25日付け:日本時間7月26日)に掲載されました。

詳細はこちらから(プレスリリース)

・論文名:Fermi level dependent charge-to-spin current conversion by Dirac surface state of topological insulators
・著者名:K. Kondou, R. Yoshimi, A. Tsukazaki, Y. Fukuma, J. Matsuno, K. S. Takahashi, M. Kawasaki, Y. Tokura and Y. Otani
・雑誌名:Nature Physics
・DOI:10.1038/nphys3833


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